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台积电12日宣布,以29亿元买下力晶竹科三五路兴建中的12寸晶圆厂房,做为20纳米以下先进制程的新基地。力晶29亿元落袋,可提升现金部位,抵抗DRAM市况寒冬。
  
市场原估计交易金额逾30亿元,实际以29亿元成交。外界认为,力晶此次「认赔卖厂」,帐面损失约4.18亿元,透露DRAM价格暴跌,显示业者压力甚大,急需现金挹注。
  
台积电指出,这次交易金额将采分期方式付款,力晶预期,第一批帐款最快本季即可入帐。
  
DRAM价格去年第四季大跌逾五成,元月上旬1GbDDR3合约均价下探0.91美元的历史低点,价格仅剩去年同期约三成。力晶表示,DRAM市况低迷,公司短期内暂无新增产能需求,将竹科三五路兴建中的建物出售。力晶近期并陆续处分非核心事业持股求现,第一波处分力积持股3,571张,获利2.56 亿元,昨天并申报转让晶相光持股1,189张。
  
台积电表示,买下力晶竹科三五路建物与建地后,将是旗下Fab12第七期基地,以 20纳米以下先进制程为主要技术,装机时间视客户需求。加上去年8月向世界先进购入的Fab12第六期,三年前竹科管理局释出的竹科三五路22公顷土地,全数由台积电统包。设备商预估,以一期12寸厂月产能平均4万至5万片估计,台积电取得世界先进、力晶两块地后,位于竹科Fab12,总月产能最高上看 25万片,超过去年竹科与南科月产能总和,可纾解台积电12寸产能吃紧。
  
力晶去年前三季手中现金与约当现金约53亿元,去年第四季DRAM价格大跌,现金流入瞬间大减。力晶原规划发行全球存托凭证(GDR)筹资,但遭主管机关退件,力晶卖厂后可进一步强化公司现金水位。

  


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