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集邦科技(DRAMeXchange)于今年台北国际计算机展(Computex Taipei 2009)举办研讨会,与来自二十多个国家的内存领导厂商及众多相关业界人士,分别就全球DRAM、NAND Flash产业以深入探讨。

集邦内存研究部副总杨雅欣(Joyce Yang)表示,受到在2009下半年PC OEM厂商减少库存量,DRAM厂提高产能利用率的影响,市场会有价格方面的压力。预估2009年供应方面的位成长率小于10%,而需求方面的位成长率则是小于20%。

杨雅欣预估,全球DRAM的产能将维持稳定的年成长率,同时50nm制程的转换是供给方面成长的关键因素。她进一步指出,2010年可能会出现DRAM供给方面位成长率达到20%或30%的情况,而需求方面的位成长率仍小于20%,原因是微软新操作系统Windows7较低的内存用量,以及PC市场的变动。

杨雅欣进一步指出,若DRAM转移到DDR3规格的需求速度加快,超过DDR3供应方面产能,这种情况下会造成DDR3供给的短缺现象,有助于2010年平均产品单价(ASP)的成长。

集邦科技NAND Flash分析师陈有裕(Wayne Chen)则指出,在2009上半年供货商方面采取减产计划,加上中国市场需求的适时带动,NAND Flash价格已经从2008年的重挫下复原回来,止跌并回升到芯片成本附近。

他预估2009年NAND Flash需求会逐渐回温,供货商产能与新技术也会做出调整,并藉由SSD等新应用扩大应用领域,让市场供需状况趋于平衡。他也预估从2009年开始到 2012年,全球NAND Flash产值的年成长率会持续攀升,2012年时年成长率将近3成。

快闪记忆卡供货商新帝 (SanDisk)全球产品营销总监Doreet Oren在该研讨会也表示,提出该公司在SSD领域长期耕耘的心得与看法,特别是Netbook的市场趋势、SSD效能方面的挑战,以及探究SSD的典型使用情境。并预计电信搭售Netbook需求量将在2010年暴增。

Sandisk也于本次研讨会中介绍了nCache技术,可提升SSD效率,以及量测SSD的新指标vRPM,认为高IOPS (每秒输出入能力)才会有更佳的使用者经验。

SSD控制芯片供货商智微科技(JMicron)执行长刘立国则在论坛发表演说,分享来自于储存设备控制器厂商的观点,从SSD效能根本的关键与可能衍生的问题着手,提供关于SSD应用与设计第一手的情报。

该公司预估SSD的传输接口会继续往上,NAND Flash制程除了进步到3X nm为主流外,还会到2X NM,控制IC对于Flash芯片的兼容性很重要,同时也必须提高ECC容错能力到15bit或24bit。

此外硬盘厂日立环球储存科技(Hitachi GST)台湾及上海区总经理刘士维表示,企业级储存系统的金字塔顶是SSD,其次是重要应用所需的2.5吋1.5万转SAS系统、日常应用所需的2.5吋或3.5吋7,200转SATA/SAS,最后是储存备份用的磁带、光学硬盘储存装置。

日立预估2010年时,全球企业用SSD市场中,服务器领域比重达7成,储存数组达3成比重。平均容量价格方面,日立预估SSD在2009年每GB约20美元的价格,将降低到2012年的每GB约3美元。
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