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在NAND闪存(以下,NAND)市场份额中占到近40%、排名首位的韩国三星电子与排名第二、份额超过30%的东芝联手合作。两公司开发完成了 NAND用高速接口规格“Toggle DDR 2.0”,并已向JEDEC固态技术协会(JEDEC)提交了标准化方案(图1)注1)。该规格可用于SSD的控制器LSI及NAND的接口。除了SSD外,还设想用于内存卡中的NAND等更广泛的用途。

三星和东芝力争使JEDEC批准NAND用接口技术“Toggle DDR 2. 0”成为标准。与其竞争的是由英特尔等主导的“ONFI”。

“Toggle DDR 2.0”的特点是速度高达400Mbit/秒。这相当于现有主流产品的10倍左右。只所以要提高速度,是因为NAND的容量越来越大,同时要求提高速度的呼声也越来越高。

此次,两公司决定向JEDEC提出方案,目的是牵制竞争规格“ONFI(Open NAND Flash Interface)”的态势。ONFI工作组目前已有80多家公司加入,由韩国海力士半导体、美国英特尔及美国美光科技等NAND厂商主导。这3家公司的NAND市场份额分别均在东芝的一半以下,不过3家公司合计接近25%。ONFI在规格的制订中与JEDEC保持着合作关系,如果任其这样下去的话,ONFI很可能会被JEDEC批准为标准。

面对这一态势,三星和东芝展开了阻击。如果两公司利用Toggle DDR 2.0,估计该规格也会成为NAND接口的事实标准。不过,如果ONFI被JEDEC批准为标准的话,就会出现两种标准同时共存的局面。

据称,NAND的需求将在今后四年内快速扩大至目前的10倍。对于想在这一高增长市场长进一步扩大份额的三星和东芝而言,当然希望消除很可能形成威胁的因素。

如果两公司采用ONFI,标准规格便会统一,但“采用ONFI,则无法有效利用当前的设计资源,并且赶不上NAND的更新换代速度”(东芝)。因此,两公司采用ONFI的可能性很小。

能够成为标准规格的是Toggle DDR,还是ONFI?其结果有望在两公司预定的标准化时间--2011年初见分晓。

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