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日本 Renesas Electronics(瑞萨电子) 和台积电,将加入一个由日本主导、从事新世代芯片制程技术开发的国际联盟。该联盟预计这个月开始研发 EUV (超紫外光) 微影技术,目标在 2015 年底前结束。企业成员将运用这项技术增进自家产品的表现,如闪存和系统芯片等。

此外,全球市占具一定份量的日本半导体材料业者,包括 Asahi Glass Co.(5201-JP)、Shin-Etsu Chemical Co.、Hoya Corp.、Fujifilm Holdings Corp. 与 Nissan Chemical Industries Ltd. 等,也将加入该联盟。联盟成员将派遣约 40 名工程师,在日本茨城县的一座研发中心进行合作。

荷兰 ASML Holding NV 计划在 2012 年推出 EUV 微影设备,日本在设备和材料的开发上已居于落后。该联盟的目标,是发展出电路宽度 20 奈米以下的芯片制程技术。东芝 (6502-JP) 未来 3-5 年需以 EUV 微影技术来生产快闪记忆芯片,但顾虑自行研发成本太高,遂号召材料厂及外国芯片业者组成联盟,并找来日本经产省支持。
瑞萨为了降低成本,已打算将线宽 28 奈米或以下的所有芯片生产外包,加入联盟的主因则是要了解技术。

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