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据国外媒体3月9日报道,中国科学院物理所最近宣布,已经研发出了一种新型的磁阻内存(MRAM),比其他产品具有能耗更低、面积更小的特点。

  据报道,物理所研究员韩秀芬领导的一个小组研发出了这种新型磁阻内存。研究人员抛弃了传统的MRAM设计思路,采用了一种所谓“纳米级环状磁隧道注入”(NR-MJT)的技术。

  研究人员说,这种设计能够降低磁阻内存的功耗,并减小内存单元面积。中科院物理所表示,目前写数据需要500到500微安的电流,读取数据需要10到20微安的电流,经过改进之后,写入电流可以下降到100到200微安。

  中科院的声明没有披露这种磁阻内存的生产工艺信息,是否采用单一MRAM单元还是内存阵列,以及内阵列的大小等。

  据报道,这项研究从2002年4月到2006年9月期间进行,获得了中国国家重点基础研究发展计划(973计划)、国家自然科学基金会和中科院知识创新计划的支持。

  磁阻内存利用半导体的电磁性能保存数据,和DRAM一样具有非易失性,读写数据远远高于闪存,不存在闪存的老化问题。业界预计,磁阻内存将取代今天所有的内存和闪存,依*它,几秒钟之内启动视窗系统将不是梦想。



来源:搜狐

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